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ISSI高速異步SRAM存儲(chǔ)芯片IS63LV1024L-10JLI-TR

來源: 日期:2021-09-14 13:56:42

IS63LV1024L-10JLI-TR是一款高速低功耗131,072字的8位CMOS靜態(tài)SRAM引腳排列。IS63LV1024L-10JLI-TR采用ISST的高性能CMOS技術(shù)和創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)工藝制造而成,高度可靠,產(chǎn)生更高性能和低功耗的設(shè)備。當(dāng)CE為HIGH(取消選擇)時(shí),器件采用待機(jī)模式,在這種模式下,功耗可降低至250uw(典型值),具有CMOS輸入電平。IS63LV1024L-10JLI-TR采用單個(gè)3.3v電源供電,所有輸入均與TTL兼容。該產(chǎn)品工作溫度為-40~85℃,供電電壓3.15V ~ 3.45V,訪問時(shí)間10ns。ISSI代理商支持提供樣品測(cè)試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)。
 
特征
·高速訪問時(shí)間:8、10、12ns
·高性能、低功耗CMOS工藝
·多個(gè)中心電源和接地引腳,具有更強(qiáng)的抗噪能力
·通過CE和OE選項(xiàng)輕松擴(kuò)展內(nèi)存CE掉電
·完全靜態(tài)操作:無需時(shí)鐘或刷新
·TTL兼容輸入和輸出。單3.3V電源
·采用封裝:32-SOJ
 
封裝引腳
 
 
 
關(guān)于ISSI
ISSI是為下列主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)袖:汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)/醫(yī)療。高速、低功耗SRAM和中低密度DRAM是該公司的主打產(chǎn)品。該公司還設(shè)計(jì)銷售 NOR 閃存產(chǎn)品、高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。該公司面向高增長市場(chǎng)提供低成本、高質(zhì)量的半導(dǎo)體產(chǎn)品,并尋求與客戶建立長期合作關(guān)系。長期以來,該公司一直是存儲(chǔ)器產(chǎn)品(包含較低密度和較小批量產(chǎn)品)的可靠供應(yīng)商,即使在產(chǎn)能緊張的時(shí)期亦是如此。

關(guān)鍵詞: SRAM,IS63LV1024L-10JLI-TR,異步SRAM

 

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