ISSI型號IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串口SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技術，位寬8*512K字節(jié)。它是兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆棧。串行SRAM旨在直接與串行外設接口(SPI)連接。它還可以與MultiIOSPI接口（DualSPI和QuadSPI）連接。該器件包含一個8位指令寄存器。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI該設備通過一個簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線進行訪問。所需的總線信號是時鐘輸入(SCK)加上單獨的數(shù)據(jù)輸入(SI)和數(shù)據(jù)輸出(SO)線。通過片選(CS#)輸入控制對器件的訪問。如果應用需要更快的數(shù)據(jù)速率，則支持SDI（串行雙接口）和SQI（串行四接口）。該器件還支持對存儲器陣列的無限讀取和寫入。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI可用于讀取和寫入的字節(jié)、頁和順序模式，支持的溫度范圍為工業(yè)溫度-40℃至+85℃，汽車溫度-40℃至+125℃，采用標準8引腳SOIC封裝。
 
主要特點
•SPI兼容總線接口：
-16/20MHz時鐘頻率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技術：
-讀取電流：3.6V、20MHz、85°C時為16mA（最大值）
-CMOS待機電流：8mA(typ)
•512Kx8位組織：
-32字節(jié)頁面
•用于讀取和寫入的字節(jié)、頁和順序模式
•支持的溫度范圍：
-工業(yè)(I)：-40℃至+85℃
-汽車(A3)：-40℃至+125℃
•符合RoHS
-8引腳SOIC封裝

ISSI主要是為汽車，通信，數(shù)字消費，以及工業(yè)和醫(yī)療市場設計和開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。還設計和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。

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