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低功耗SDRAM提供了多種選擇改善待機(jī)功耗
移動(dòng)或低功耗SDRAM提供了多種選擇來(lái)同時(shí)改善活動(dòng)和待機(jī)功耗。減少有功和備用電源可延長(zhǎng)電池壽命并提高系統(tǒng)可靠性。通過(guò)考慮系統(tǒng)使用,工程
2021-03-22
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使用擴(kuò)展SRAM設(shè)計(jì)的存內(nèi)計(jì)算
最近的ISSCC上,臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案,能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 上圖顯示了臺(tái)積電用于其測(cè)試的擴(kuò)展
2021-03-18
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SK海力士收購(gòu)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)再獲許可
根據(jù)Bloomberg的報(bào)道,SK海力士就擬議的英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購(gòu)獲得了美國(guó)外國(guó)投資委員會(huì)(簡(jiǎn)稱CFIUS)的許可。這是自去年美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)
2021-03-12
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everspin代理并口MRAM存儲(chǔ)芯片MR4A16B
MR4A16B是一個(gè)16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個(gè)16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀 寫(xiě)時(shí)序,具有無(wú)限
2021-03-09
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Nand Flash六大廠商未來(lái)規(guī)劃曝光
展望2021年,集邦咨詢認(rèn)為第一季度供給端由于三星(Samsung)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)積極擴(kuò)產(chǎn)以及各供應(yīng)商均轉(zhuǎn)進(jìn)更高層數(shù)等影響,位元產(chǎn)出將顯
2021-03-05
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NOR Flash來(lái)自“5G、汽車(chē)、工業(yè)”的技術(shù)挑戰(zhàn)
NOR Flash從產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造工藝及封測(cè)及應(yīng)用來(lái)看,相比消費(fèi)類電子、5G基站、汽車(chē)電子和工業(yè)電子更加考驗(yàn)NOR Flash的綜合實(shí)力。5G基站、汽
2021-03-03
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