磁性隨機存儲器芯片(MRAM)
一種非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。
它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,
以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu),來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。
Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息,以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
Everspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期,并擁有出色耐久性。與其他串行存儲器不同,這些存儲器的讀/寫操作可以是隨機的,而且沒有寫入延遲。對于MRAM來說,數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫入。 Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。
Density |
Interface |
Part Number |
Voltage |
Speed |
Temp Rating |
Package |
Pack/Ship |
Status |
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