ISSI  IS61/64WV5128EDBLL描述

ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組織為524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，可提供高性能和高性能低功耗設(shè)備。
 
當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時(shí)，器件將進(jìn)入待機(jī)模式，在該模式下，可以通過(guò)CMOS輸入電平降低功耗。
 
通過(guò)使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴(kuò)展存儲(chǔ)器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。
 
IS61/ 64WV5128EDBLL封裝在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的44引腳TSOP-II，36引腳SOJ和36引腳Mini BGA（6mm x 8mm）中。
 
產(chǎn)品特征
•高速訪問(wèn)時(shí)間：8、10 ns
•低有功功率：85 mW（典型值）
•低待機(jī)功率：7 mW（典型值）
CMOS待機(jī)
•單電源
-Vdd 2.4V至3.6V（10 ns）
-Vdd 3.3V±10％（8 ns）
•完全靜態(tài)操作：無(wú)需時(shí)鐘或刷新
•三態(tài)輸出
•工業(yè)和汽車(chē)溫度支持
•無(wú)鉛
•錯(cuò)誤檢測(cè)和錯(cuò)誤糾正

ISSI 同系列主要產(chǎn)品

型號(hào)	容量	位寬	電壓(V)	速度(ns)	封裝(Pins)
IS61WV5128EDBLL	4Mb	512Kx8	2.4-3.6V	8,10	TSOP2(44),BGA(36)
IS61WV5128ALL/BLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	8,10,20	SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36)
IS64WV5128EDBLL	4Mb	512Kx8	2.4-3.6V	10	TSOP2(44),BGA(36)