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研究人員開發(fā)一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu)
來源：宇芯有限公司 日期：2020-04-17 09:54:17
MRAM存儲(chǔ)芯片可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車和工業(yè)，軍事及太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM存儲(chǔ)芯片開發(fā)人員來說是重要的部分。
東京工業(yè)大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)依賴于單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結(jié)構(gòu)只有兩層。這可能導(dǎo)致成本更低的MRAM器件。
自旋霍爾效應(yīng)導(dǎo)致電子在材料的側(cè)面以一定的自旋積累。通過將拓?fù)浣^緣體與鐵磁半導(dǎo)體相結(jié)合，研究人員設(shè)法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存儲(chǔ)芯片是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM存儲(chǔ)芯片具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效的特點(diǎn)。MRAM存儲(chǔ)器技術(shù)仍遠(yuǎn)未實(shí)現(xiàn)其潛力，但是截至2020年初，市場(chǎng)上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲(chǔ)芯片，并且公司正在將這種技術(shù)用于許多應(yīng)用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片.設(shè)計(jì)了多款校準(zhǔn)方案，都在量產(chǎn)供貨中，獲得了大量用戶的認(rèn)可。
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片
關(guān)鍵詞：everspin MRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
東京工業(yè)大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種新的MRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)依賴于單向自旋霍爾磁阻（USMR）。新的單元結(jié)構(gòu)只有兩層。這可能導(dǎo)致成本更低的MRAM器件。
自旋霍爾效應(yīng)導(dǎo)致電子在材料的側(cè)面以一定的自旋積累。通過將拓?fù)浣^緣體與鐵磁半導(dǎo)體相結(jié)合，研究人員設(shè)法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存儲(chǔ)芯片是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM存儲(chǔ)芯片具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效的特點(diǎn)。MRAM存儲(chǔ)器技術(shù)仍遠(yuǎn)未實(shí)現(xiàn)其潛力，但是截至2020年初，市場(chǎng)上有從很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存儲(chǔ)芯片，并且公司正在將這種技術(shù)用于許多應(yīng)用。宇芯有限公司代理行業(yè)翹楚Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片.設(shè)計(jì)了多款校準(zhǔn)方案，都在量產(chǎn)供貨中，獲得了大量用戶的認(rèn)可。
Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片
| 型號(hào) | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 溫度 | 封裝 | MOQ /卷帶 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 4,000 |
關(guān)鍵詞：everspin MRAM
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