案例&資訊
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
來源：宇芯電子 日期：2020-05-29 10:24:15
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM，組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝再加上創(chuàng)新的電路設計技術，生產出高性能優(yōu)質和低功耗的設備。
當為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）時，器件將會進入待機模式，在該模式下可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（低寫使能）控制存儲器的寫入和讀取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC標準的48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝。ISSI代理商宇芯電子可提供樣品及技術支持.
框圖
特征
高速訪問時間：45ns，55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW（典型值）運行
– 12 µW（典型值）CMOS待機
·TTL兼容接口級別
·單電源
–1.65V–1.98V Vdd（62 / 65WV20488EALL）
– 2.2V--3.6V Vdd（62 / 65WV20488EBLL）
·完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
·工業(yè)（-40oC至+ 85oC）和汽車（-40oC至+ 125oC）溫度支持
工作溫度范圍
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
當為高電平（取消選擇）或CS2為低電平（取消選擇）時，器件將會進入待機模式，在該模式下可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（低寫使能）控制存儲器的寫入和讀取。IS62WV20488EALL均采用JEDEC標準的48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝。ISSI代理商宇芯電子可提供樣品及技術支持.
框圖
特征
高速訪問時間：45ns，55ns
·CMOS低功耗操作
– 30 mW（典型值）運行
– 12 µW（典型值）CMOS待機
·TTL兼容接口級別
·單電源
–1.65V–1.98V Vdd（62 / 65WV20488EALL）
– 2.2V--3.6V Vdd（62 / 65WV20488EBLL）
·完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新
·工業(yè)（-40oC至+ 85oC）和汽車（-40oC至+ 125oC）溫度支持
工作溫度范圍
關鍵詞：SRAM 并口SRAM IS62WV20488EALL
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
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