一種稱為Universal Selector的新創(chuàng)新技術(shù)，它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲技術(shù)（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因為它將提供一種新穎的方式設(shè)計垂直單元晶體管，以實現(xiàn)更高水平的性能和可靠性和密度。
 
自旋存儲器的通用選擇器是一種選擇性的垂直外延單元晶體管，其溝道的摻雜濃度足夠低，可以完全耗盡。對于MRAM存儲器，通用選擇器使制造商能夠創(chuàng)建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T1R存儲位單元，從而使制造商可以在同一面積內(nèi)嵌入多達五倍的存儲器，而所需的晶片處理成本卻最低。
 
MRAM存儲器可以抵抗高輻射，也可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM存儲器適用于汽車和工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對于MRAM存儲器開發(fā)人員來說是重要的部分。
 
通用選擇器是第一個真正的行業(yè)解決方案，可解決行錘干擾的DRAM問題，同時降低了軟錯誤率（SER）和泄漏。
 
完全耗盡的單元晶體管以及其他獨特的工藝和器件功能會導致關(guān)鍵的架構(gòu)變化，從而使溝道與硅襯底完全電隔離。這完全消除了任何捕獲或遷移的電子引起行錘的可能性，從而使該設(shè)計不受行錘的影響。
 
 

關(guān)鍵詞：MRAM