NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術(shù)方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護(hù)的場合。
 
因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)。最后必須知道制造商提到功耗時并不是使用一致的標(biāo)準(zhǔn)。某些設(shè)備可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其資料表提供的卻是Vcc=2.5V。此處所用的數(shù)值是資料表中規(guī)定的最差情況數(shù)值。
 
串行數(shù)據(jù)閃存擦除頁/扇區(qū)時，需要耗用大量的能量，因?yàn)檫@些操作耗時較長。EEPROM與閃存使用輪詢(polling)技術(shù)而不是等待一段最差情況所需的時間來完成操作，從而減少了兩者的能量要求。資料表沒有清楚顯示當(dāng)寫入/擦除完成時，寫入/擦除周期中消耗的電流是否自動逐步減少或是否繼續(xù)。 
 
非易失NV-SRAM通常用于要求維護(hù)次數(shù)盡可能少，頻繁進(jìn)行讀/寫操作，并且數(shù)據(jù)保存速度是至關(guān)重要的系統(tǒng)中。數(shù)控銑床就是一個例子。假設(shè)機(jī)器正在進(jìn)行銑操作的時候突然斷電。出于安全考慮，需要撤出鉆頭并將其停放在一個安全位置。一旦上電，機(jī)器必須記住停止工作的點(diǎn)。有了NV-SRAM模塊，這一任務(wù)是很容易實(shí)現(xiàn)的。選擇的保持時間應(yīng)等于或大于向EEPROM中存儲程序信息所需的時間。在數(shù)據(jù)寫入EEPROM之前，仍然需要SRAM充當(dāng)數(shù)據(jù)緩存。采用這一方案，附加元件的費(fèi)用通常要超出NV-SRAM模塊的成本，并且可靠性較低。
 
在防篡改應(yīng)用，特別是在PoS終端中，數(shù)據(jù)記錄非常重要。如今的智能終端無須經(jīng)過耗時的遠(yuǎn)程服務(wù)器的驗(yàn)證就能確認(rèn)付款交易。由于安全數(shù)據(jù)存儲于終端內(nèi)部，因此這里完全依靠單片BGA模塊。安全微控制器可以將密鑰存放在lC內(nèi)部的“安全區(qū)”內(nèi)。然而，仍然需要采取一些額外措施，以防止存放在微控制器之外SRAM中的加密數(shù)據(jù)被讀取和解碼。目前所能提供的保護(hù)措施尚不足以對付那些狡猾的黑客。針對這一問題，也有一些解決方案，例如NaxiDallasSermconductor推出了定制的BA模塊，包含安全微控制器、SRAM篡改檢測電路，以及定時和控制功能。
 
 
關(guān)鍵詞：NV-SRAM  宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。