Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand Flash兩大類。
 
Nor Flash
Nor Flash的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP )，應用程序可以直接在內(nèi)存Flash內(nèi)運行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。Nor Flash的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益。
 
Nand Flash
Nand Flash的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較復雜。
 
非易失性存儲器–Nor Flash
Nor Flash根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸?shù)奈粩?shù)可以分為并行和串行，并行Nor Flash每次傳輸多個bit位的數(shù)據(jù);而串行Nor Flash每次傳輸一個bit位的數(shù)據(jù)。并行Nor Flash比串行Nor Flash具有更快的傳輸速度。
 
串行Nor Flash
主要接口有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。
 
并行Nor Flash
主要接口有8位、16位、8位/16位可選的數(shù)據(jù)傳輸方式。
 
非易失性存儲器-Nor Flash特點
特點:Nor Flash是非易失存儲,一般用于程序代碼存儲
主推容量256Kb-512Mb
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。
并行:MCU需帶外部總線,速度快,內(nèi)部無FLASH等
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺上
 
非易失性存儲器-Nand Flash特點
特點:容量大，寫速度快等優(yōu)點適用于大數(shù)據(jù)的存儲
主推容量512Mb-8Gb
并行:MUC帶外部存儲控制器、數(shù)據(jù)量大、速度快
用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統(tǒng)
串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小

Flash的應用

 
Nor Flash與Nand Flash的區(qū)別
NOR
1.讀速度快，寫速度慢
2擦除速度慢
3.擦除次數(shù)約10萬次
4.容量小256Kb-512Mb
5.單位容量價格高，適用于小容量程序存儲
6.不易產(chǎn)生壞塊
NAND
1.讀速度慢，寫速度快
2.擦除速度快（( 1000:1)
3.擦除次數(shù)約100萬次
4.容量大512Mb-8Gb
5.單位容量價格低，適用于大容量數(shù)據(jù)存儲
6.較易產(chǎn)生壞塊，需ECC校驗
 

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