Everspin型號MR256A08BCYS35是一個位寬32Kx8的MRAM存儲芯片。提供SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過20年的時間里始終是非易失性的。數(shù)據(jù)通過低壓抑制電路在斷電時自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。該產(chǎn)品是必須快速永久存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。
 
MR256A08BCYS35采用小尺寸44引腳塑料小外形TSOP2型封裝，所有封裝尺寸都與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70℃）和工業(yè)溫度（-40至+85℃）范圍選項。
 
特征
•3.3伏電源
•35ns的快速讀/寫周期
•SRAM兼容時序
•原生非易失性
•無限讀寫耐力
•數(shù)據(jù)在溫度下超過20年始終非易失性
•商業(yè)和工業(yè)溫度
•所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度等級
•符合RoHS標準的TSOP2和BGA封裝
 
MR256A08BCYS35存儲器可以取代系統(tǒng)中的FLASH、SRAM、EEPROM和MRAM，實現(xiàn)更簡單、更高效的設(shè)計，通過更換電池供電的SRAM提高可靠性。
 
Everspin MRAM其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領(lǐng)域。

關(guān)鍵詞：MRAM Everspin MRAM MR256A08BCYS35 宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。