四個(gè)SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時(shí)鐘頻率為108MHz，其性能超過(guò)了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問(wèn)時(shí)間)器件。該nvSRAM 提供了 24MBps的隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)速度，無(wú)限制的寫(xiě)次數(shù)，以及20年的數(shù)據(jù)保存期。因其I/O寬度更小，其16-pin SOIC 封裝以及 24-ball BGA封裝的芯片管腳數(shù)更少，故占板空間也就更少。該器件還包括了一個(gè)可選的集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，未經(jīng)校準(zhǔn)的精度為+/- 50ppm。這款nvSRAM與競(jìng)爭(zhēng)器件相比具有更低的功耗，工作電流為 5.8mA，睡眠模式電流為10uA。

賽普拉斯nvSRAM符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可用來(lái)直接替代SRAM、帶電池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，無(wú)需電池即可提供可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。掉電時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)從SRAM傳輸?shù)皆撈骷姆且资詥卧?。通電后，?shù)據(jù)可從非易失性單元恢復(fù)到SRAM。這兩個(gè)操作也能由軟件控制。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部總監(jiān)Sonal Chandrasekhar認(rèn)為：“關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)需要能在掉電瞬間立即可靠地保存數(shù)據(jù)的高性能存儲(chǔ)器。賽普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉電時(shí)保護(hù)數(shù)據(jù)安全的能力，其數(shù)據(jù)吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”

賽普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，可實(shí)現(xiàn)更高的容量、更快的訪問(wèn)速度和更好的性能。對(duì)RAID系統(tǒng)、PLC、航空、工業(yè)數(shù)據(jù)日志、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、路由器和交換機(jī)、國(guó)防系統(tǒng)，以及游戲系統(tǒng)等于需要高性能和絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用而言，nvSRAM是理想的選擇。

關(guān)于賽普拉斯的nvSRAM

賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲(chǔ)在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標(biāo)準(zhǔn)的PCB流水線生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)，可以直接替代SRAM、依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產(chǎn)品，提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。當(dāng)發(fā)生斷電的時(shí)候，數(shù)據(jù)可自動(dòng)從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧?。加電之后，?shù)據(jù)可從非易失性存儲(chǔ)器中恢復(fù)至SRAM。在網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、計(jì)算及RAID應(yīng)用中，賽普拉斯的nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能，并在斷電的時(shí)候，無(wú)需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。

關(guān)鍵詞：賽普拉斯    nvSRAM 

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