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MRAM場合應(yīng)用的例子

來源：宇芯有限公司日期：2020-02-17 10:24:09

一鍵分享

MRAM目前處于鎖定三大技術(shù)的早期階段：其一是作為非揮發(fā)性存儲器(NVM)領(lǐng)域的替代方案，特別是嵌入式NOR flash。此外它還可以作為傳統(tǒng)CMOS高速嵌入式靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的替代技術(shù)。我認(rèn)為這項技術(shù)更適于在此領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)差異化。第三是作為DRAM的替代技術(shù)。目前DRAM市場成長開始趨緩，未來可能會由特別有利于儲存應(yīng)用的持久特性主導(dǎo)市場成長。

至今許多采用MRAM的場合都離不開儲存應(yīng)用。是否還有其他細(xì)分市場存在新應(yīng)用的例子？

在手機中有幾個地方需要超過200Mb的靜態(tài)存儲器，而當(dāng)你嘗試使用SRAM時，就會發(fā)現(xiàn)那真的是在燒錢。降低靜態(tài)存儲器的成本看來勢在必行，再者因為它用在行動裝置中，所以對于功耗也十分敏感。40nm以下的傳統(tǒng)解決方案由于漏電流之故而經(jīng)常耗用較大電源。如今以MRAM取代SRAM幾乎可完全排除漏電流的問題。

此外，為使用中的資料提供保護(hù)方面也是一大挑戰(zhàn)。許多應(yīng)用都需要高頻寬，高速資料經(jīng)由系統(tǒng)傳送的同時，也進(jìn)入其永久儲存的位置。在資料順利傳送到安全可靠的最終存放位置以前，如果發(fā)生了危及資料的故障情況會很麻煩，這正是MRAM得以發(fā)揮作用之處。宇芯有限公司everspin代理 MRAM芯片,不同容量大小，并提供技術(shù)支持

Everspin MRAM芯片型號

型號	容量	位寬	電壓(V)	溫度	封裝	MOQ /卷帶
MR25H40CDC	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃to+85℃	8-DFN	4,000
MR20H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40CDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40 ℃to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H40MDF	4Mb	512Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10CDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN	4,000
MR25H10MDC	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN	4,000
MR25H10CDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +85℃	8-DFN sf	4,000
MR25H10MDF	1Mb	128Kx8	3.3V	-40℃ to +125℃	8-DFN sf	4,000

關(guān)鍵詞：MRAM

上一篇文章：外部SRAM的優(yōu)缺點

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MRAM場合應(yīng)用的例子