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MRAM與常用計算機內(nèi)存的性能比較
來源：宇芯有限公司 日期：2020-09-04 10:24:12
新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與應(yīng)用都為MRAM存儲器研究開發(fā)奠定了基礎(chǔ)。
1995年美國國防部高級研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術(shù)指標及產(chǎn)品目標要求如下:
技術(shù)指標:
具有sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存儲密度;
具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。
產(chǎn)品目標:
取代計算機的DRAM內(nèi)存，
取代手機的EEPROM閃存。
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。
由上述表中的四種內(nèi)存只有MRAM能同時滿足計算機內(nèi)存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數(shù)據(jù)存儲密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等發(fā)達國家都很重視這項新技術(shù),投巨資加速MRAM產(chǎn)品的商業(yè)化。
Everspin MRAM型號表
關(guān)鍵詞：MRAM
宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內(nèi)外各大知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
1995年美國國防部高級研究計劃署)為IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術(shù)指標及產(chǎn)品目標要求如下:
技術(shù)指標:
具有sram芯片的隨機存取速率;
具有DRAM芯片的大容量存儲密度;
具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。
產(chǎn)品目標:
取代計算機的DRAM內(nèi)存，
取代手機的EEPROM閃存。
表1列出MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較。
表1SRAM、DRAM、EEPROM 及 MRAM的性能比較
由上述表中的四種內(nèi)存只有MRAM能同時滿足計算機內(nèi)存的四項要求:非易失性、隨機存取速率高、數(shù)據(jù)存儲密度高以及耗電功率低等。因此美、日、歐等發(fā)達國家都很重視這項新技術(shù),投巨資加速MRAM產(chǎn)品的商業(yè)化。
Everspin MRAM型號表
| 型號 | 容量 | 位寬 | 電壓(V) | 溫度 | 封裝 | MOQ /托盤 | MOQ /卷帶 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR25H40CDC | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃to+85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR20H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H40CDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40 ℃to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H40MDF | 4Mb | 512Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H10CDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H10MDC | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H10CDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H10MDF | 1Mb | 128Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDC | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN | 570 | 4,000 |
| MR25H256CDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +85℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
| MR25H256MDF | 256Kb | 32Kx8 | 3.3V | -40℃ to +125℃ | 8-DFN sf | 570 | 4,000 |
關(guān)鍵詞：MRAM
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