富士通半導體MB85RS4MT是一款4Mbit FRAM，在富士通FRAM非易失性存儲器的串行接口系列中具有最高的密度。
 
在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客戶提出了許多要求，他們更喜歡增加讀/寫周期、縮短數據寫入時間和增加內存密度。這種產品是一種解決方案，可以滿足對現有EEPROM不滿意的客戶的要求。
 
MB85RS4MT最適合需要實時或頻繁數據記錄的各種應用，例如行車/導航記錄器、工業(yè)機器人、計算機數控(CNC)機床、測量設備、智能儀表和消費設備。
 
富士通半導體4Mbit FRAM產品MB85RS4MT，它在串行外圍接口(SPI)產品FRAM系列中具有最高的密度。富士通FRAM非易失性存儲器產品，具有高讀寫耐久性、高速寫入操作和低功耗等特點。
 
MB85RS4MT鐵電存儲器產品具有保證的10萬億讀/寫周期，大約是競爭性非易失性存儲器EEPROM的1000萬倍。因此保證讀/寫周期限制不會成為客戶產品設計的瓶頸，即使MB85RS4MT用于存儲器以在邊緣計算中頻繁記錄傳感器信息。（圖1）
     
FRAM產品還通過使用無擦除操作的覆蓋序列寫入數據來實現高速寫入操作。而傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM和閃存）除了正常的寫入操作外，還需要額外的時間進行擦除操作。
 
這種快速寫入操作有助于保護數據免受寫入期間突然電壓下降（例如停電）的影響。(圖2)
     
由于MB85RS4MT在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內工作，因此它可以與其他外圍電子元件在1.8V或3.6V下工作的客戶終端產品一起使用。其工作電流非常小，在1MHz工作時最大工作電流為250μA，最大待機電流為50μA。這意味著，這款FRAM產品具有低功耗的優(yōu)勢，因為它具有低工作電壓和低工作電流。
 
FRAM產品采用行業(yè)標準的8引腳SOP封裝，可輕松替換現有8引腳SOP的EEPROM。這使客戶能夠切換到FRAM產品，而無需對最終產品中的主板進行重大設計更改。代理宇芯電子支持提供樣品測試及解決方案等。


關鍵詞：串行FRAM  

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