鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。下面來進行串口FRAM vs EEPROM /閃存的比較。
 
串口FRAM vs EEPROM/閃存
 
與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM和閃存)相比，F(xiàn)RAM具有更快的寫入速度，更高的耐久性和更低的功耗等優(yōu)點。采用FRAM代替EEPROM和閃存具有以下優(yōu)勢。
 
1、性能改進
 
由于快速的寫入速度，即使在突然停電的情況下，F(xiàn)RAM可以保存寫入數(shù)據。不僅如此，F(xiàn)RAM可記錄數(shù)據比EEPROM和閃存更頻繁。寫入數(shù)據時，EEPROM和閃存需要高電壓，從而比FRAM消耗更多的功率。因此，通過使用FRAM，在電池供電的小型設備中的電池壽命可以延長?？傊現(xiàn)RAM是：
•在突然停電時FRAM可以保存寫入數(shù)據
•可以進行頻繁的數(shù)據記錄
•可以延長電池供電設備的電池壽命
 
2、降低總成本
 
在工廠中將參數(shù)寫入每個產品的情況下，由于FRAM與EEPROM和閃存相比可以縮短寫入時間，因此FRAM可以有助于降低制造成本。此外，F(xiàn)RAM可以為您提供單一芯片解決方案從而代替多芯片解決方案，例如，由EEPROM + Flash組成的兩個芯片方案，或由EEPROM + SRAM +電池組成的三個器件方案。
•縮短在每個產品中寫入參數(shù)的總時間
•減少最終產品中使用的元器件數(shù)量

本文關鍵詞：FRAM,EEPROM,串口FRAM

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